RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2382
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Transcend Information JM800QLU-2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link