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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
64
Intorno -106% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
2,256.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
31
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2554
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
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