RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
64
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2554
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link