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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs INTENSO 5641162 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641162 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO 5641162 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
64
Intorno -178% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
23
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2799
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
INTENSO 5641162 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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