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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
104
Intorno -225% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
32
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2804
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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