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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
104
En -225% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2804
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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