RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
64
Intorno -137% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
2,256.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
27
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2347
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link