RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2666
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Inmos + 256MB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link