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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
64
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
2,256.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
32
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2386
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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