RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
63
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
29
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
2967
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link