RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
64
Intorno -78% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
36
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3050
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link