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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
14.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
60
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
30
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2834
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
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