RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
60
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2834
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link