RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
64
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
32
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2952
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link