RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
64
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2952
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link