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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
64
Intorno -129% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
6400
Intorno 3.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
28
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
23400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3419
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
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