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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Confronto
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641152 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Motivi da considerare
INTENSO 5641152 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
63
Intorno -174% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
23
Velocità di lettura, GB/s
7.7
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1130
2215
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
INTENSO 5641152 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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