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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Compara
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
Puntuación global
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Puntuación global
INTENSO 5641152 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razones a tener en cuenta
INTENSO 5641152 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
63
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.7
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1130
2215
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
INTENSO 5641152 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
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