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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Comparar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
Pontuação geral
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Pontuação geral
INTENSO 5641152 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razões a considerar
INTENSO 5641152 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
63
Por volta de -174% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
23
Velocidade de leitura, GB/s
7.7
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1130
2215
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
INTENSO 5641152 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
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