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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
64
Intorno -256% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
18
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3536
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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