RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
64
Около -256% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
20.2
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3536
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link