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Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
INTENSO 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB vs INTENSO 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Punteggio complessivo
INTENSO 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
INTENSO 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
36
Velocità di lettura, GB/s
13.7
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2209
2061
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
INTENSO 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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