RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
42
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
27
Velocità di lettura, GB/s
9.7
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2918
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link