RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
42
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
31
Velocità di lettura, GB/s
9.7
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3614
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link