RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
9.7
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3657
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link