RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
42
Intorno -121% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
19
Velocità di lettura, GB/s
9.7
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3355
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link