RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
77
Intorno 45% latenza inferiore
Motivi da considerare
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
77
Velocità di lettura, GB/s
9.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
1688
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link