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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
60
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.7
7.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
2.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
60
Velocità di lettura, GB/s
9.7
7.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
2.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
1505
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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