RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.7
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
42
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
38
Velocità di lettura, GB/s
9.7
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2163
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Jinyu 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link