RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
45
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
45
Velocità di lettura, GB/s
9.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2723
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link