Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 42
    Intorno -56% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.1 left arrow 9.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.5 left arrow 6.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.7 left arrow 14.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.0 left arrow 8.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1396 left arrow 2436
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti