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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
42
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
33
Velocità di lettura, GB/s
9.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3116
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-098.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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