RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
46
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
46
Velocità di lettura, GB/s
9.7
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2717
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link