RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
42
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
37
Velocità di lettura, GB/s
9.7
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2780
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link