RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
25
Velocità di lettura, GB/s
9.7
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2889
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link