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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
47
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
47
Velocità di lettura, GB/s
12.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2226
2308
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
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