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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
28
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
3317
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
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