RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
3023
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link