RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
42
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
26
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
3723
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link