RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3723
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link