RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
22.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
3837
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link