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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Inmos + 256MB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Inmos + 256MB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Inmos + 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Motivi da considerare
Inmos + 256MB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16800
10600
Intorno 1.58 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
16800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2318
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Inmos + 256MB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
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