RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
64
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
64
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2205
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link