RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
46
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
25
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3187
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link