RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3187
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link