RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
81
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
81
Velocità di lettura, GB/s
10.6
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
1651
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link