RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
81
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
81
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1651
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link