RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
71
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
38
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2807
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link