RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
71
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
36
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3071
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link