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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
71
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
35
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2731
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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